R8009KNXC7G
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | R8009KNXC7G |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $4.17 |
10+ | $3.741 |
100+ | $3.0651 |
500+ | $2.6093 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 5mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220FM |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 59W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
Grundproduktnummer | R8009 |
MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
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2024/04/18
2024/11/15
2024/05/13
2024/10/23
R8009KNXC7GRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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